ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=100 V, DFN2020Y7LSAA, 表面安装, 6引脚, RF9P120BKFRATCR, RF9P120BKFRA系列

N
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RS 库存编号:
687-387
制造商零件编号:
RF9P120BKFRATCR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

单 MOSFET

最大漏源电压 Vd

100V

系列

RF9P120BKFRA

包装类型

DFN2020Y7LSAA

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

58mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.9nC

最大功耗 Pd

23W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

150°C

高度

0.65mm

标准/认证

RoHS

长度

2.1mm

宽度

2.1 mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为在汽车、照明和车身电子产品等各种应用中实现高效开关而设计。该组件专为支持 ±12A 的强大连续漏电流和 100V 的最大漏源电压而设计,在要求可靠性和效率的环境中表现出色。其先进设计具有低导通电阻和高功率密度,可确保卓越性能,同时符合 AEC-Q101 标准和 RoHS 法规。紧凑的 DFN2020Y7LSAA 封装进一步便于集成到空间有限的设计中,是现代电子解决方案的通用选择。

通过 AEC Q101 汽车应用认证,确保可靠性

低导通电阻 (RDS(on)),提高运行效率

支持 100V 的漏源电压,适用于高压应用

连续漏电流为 ±12A,能够处理要求严苛的负载

无铅电镀,确保符合环保标准

不含卤素,有助于实现环保产品设计

功率密度高,最大功耗为 23W,优化了散热性能