ROHM N型, P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, HT8MB5TB1, HT8MB5系列
- RS 库存编号:
- 687-388
- 制造商零件编号:
- HT8MB5TB1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB4.955 | RMB9.91 |
| 50 - 198 | RMB4.40 | RMB8.80 |
| 200 - 998 | RMB3.95 | RMB7.90 |
| 1000 - 1998 | RMB3.83 | RMB7.66 |
| 2000 + | RMB3.715 | RMB7.43 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-388
- 制造商零件编号:
- HT8MB5TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | HT8MB5 | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 44mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 13W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 长度 | 3.45mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 HT8MB5 | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 44mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 13W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.4 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 0.8mm | ||
长度 3.45mm | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM P 通道功率 MOSFET 设计用于要求严苛的应用,如电机驱动器和开关电源。该组件具有极低的导通电阻,适用于效率至关重要的电源管理解决方案。HT8MB5 采用紧凑型 HSMT8 封装,便于节省设计空间,同时保持高性能。这款 MOSFET 拥有出色的最大额定值和稳健设计,可在不同环境条件下可靠运行,确保运行的稳定性和使用寿命。
低导通电阻可提高效率和热管理
紧凑型 HSMT8 封装可减少设计占地面积
额定漏源电压为 40V,确保应用的通用性
功耗能力为 13W,支持高功率应用
无铅电镀,符合 RoHS 标准,体现了环保性
无卤素材料可提高电子应用的安全性
100% 通过 Rg 和 UIS 测试,确保可靠性和性能
适用于开关和电机驱动应用,可用性更高