ROHM P型, N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, HSMT-8, 表面安装, 8引脚, HT8MC5TB1, HT8MC5系列
- RS 库存编号:
- 687-389
- 制造商零件编号:
- HT8MC5TB1
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
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| 50 - 198 | RMB4.41 | RMB8.82 |
| 200 - 998 | RMB3.96 | RMB7.92 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-389
- 制造商零件编号:
- HT8MC5TB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | HSMT-8 | |
| 系列 | HT8MC5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 97mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| 最大功耗 Pd | 13W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.45mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 HSMT-8 | ||
系列 HT8MC5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 97mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.1nC | ||
最大功耗 Pd 13W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.45mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
高度 0.8mm | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM N 通道和 P 通道功率 MOSFET 专为高效的电机驱动应用而设计。该设备采用先进的 HSMT8 封装,具有低导通电阻,可在最大程度地减少发热的同时增强电源管理。它具有强大的功能,适用于要求可靠性和效率的各种应用,尤其是在空间有限的环境中。它采用无铅且符合 RoHS 标准的设计,符合现代环境安全标准,同时提供出色的规格,确保在众多电子行业实现多功能部署。
低导通电阻可提高功率效率并减少能量损耗
高功率小型模制封装 (HSMT8) 特别适用于空间有限的应用
无铅电镀并符合 RoHS 标准,可确保环保
无卤素结构提供额外的安全性和合规性
完全通过 Rg 和 UIS 测试,在动态条件下提高了可靠性
压花包装可优化制造过程中的处理和插入
最高接点温度为 150°C,可在高热环境中实现可靠性能。