ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, TO-263AB-3LSHYAD, 表面安装, 3引脚, RJ1N04BBHTL1, RJ1N04BBHT系列
- RS 库存编号:
- 687-400
- 制造商零件编号:
- RJ1N04BBHTL1
- 制造商:
- ROHM
N
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|---|---|---|
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| 20 - 98 | RMB14.14 | RMB28.28 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-400
- 制造商零件编号:
- RJ1N04BBHTL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-263AB-3LSHYAD | |
| 系列 | RJ1N04BBHT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 89W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.5mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 10.36 mm | |
| 高度 | 4.77mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-263AB-3LSHYAD | ||
系列 RJ1N04BBHT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 89W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.5mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 10.36 mm | ||
高度 4.77mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为在严苛应用中提供卓越的效率而设计。它的最大漏源电压为 80V,连续漏电流为 100A,专为各种电路中的有效开关任务而设计,适用于电机驱动器和直流/直流转换器。5.3mΩ 的低导通电阻可确保将能量损耗降至最低,从而在高功率条件下实现更好的热管理和可靠运行。该设备符合 RoHS 标准,不仅能满足环境要求,还能确保最终用户在各种电子产品中的可靠性和安全性。
低导通电阻,可实现有效的电源管理并减少热负载
可处理 ±100A 的连续漏电流,适用于高性能设计
全面测试稳健性,包括 100% Rg 和 UIS 测试
无铅镀层确保符合国际环境标准
无卤素结构,有助于实现环境可持续性
坚固的包装规格,包括压花胶带,可实现可靠的运输和存储
工作温度范围为 -55 至 +150°C,可在各种环境中灵活运行