ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, HSOP-8, 表面安装, 8引脚, RS6G122CH系列

N
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RS 库存编号:
687-439P
制造商零件编号:
RS6G122CHTB1
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

单 MOSFET

最大漏源电压 Vd

-40V

系列

RS6G122CH

包装类型

HSOP-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.20mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

52nC

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

125W

最高工作温度

150°C

长度

3mm

宽度

3 mm

标准/认证

RoHS

高度

1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
JP
ROHM 功率 MOSFET 专为在严苛应用中提供高效率而设计。它的最大工作电压为 40V,能够处理高达 225A 的连续漏电流,适用于电机驱动器和直流/直流转换器。坚固的 HSOP8 封装可确保有效的热管理和低热阻,即使在高负载条件下也能促进可靠的性能。该设备严格符合 RoHS 标准,适用于环保设计,同时在各种电子应用中确保一致的可靠性和安全性。

接通电阻仅 1.20mΩ,可提高效率

高功率封装 (HSOP8),可实现有效散热

无铅电镀符合 RoHS 环境安全标准

无卤素结构确保符合安全法规

通过 100% Rg 和 UIS 测试,在恶劣条件下确保可靠性

专为具有极端电流能力的高性能应用而设计

雪崩等级,单脉冲能力高达 40A,确保坚固耐用

集成的安全功能可解决潜在故障情况