ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3L08CBLHRBTL, RD3L08CBLHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-440
- 制造商零件编号:
- RD3L08CBLHRBTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
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| 20 - 48 | RMB9.075 | RMB18.15 |
| 50 - 198 | RMB8.12 | RMB16.24 |
| 200 - 998 | RMB6.57 | RMB13.14 |
| 1000 + | RMB6.42 | RMB12.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-440
- 制造商零件编号:
- RD3L08CBLHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 系列 | RD3L08CBLHRB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
系列 RD3L08CBLHRB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.8 mm | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为严苛应用而设计,具有出色的效率和可靠性。该设备的最大漏源电压为 60V,连续漏电流为 80A,非常适合汽车和消费类电子产品中的开关和放大任务。它的低导通电阻仅为 5.3mΩ,可最大限度提高功率效率,而其坚固的结构则确保其能够承受恶劣的运行环境,符合 AEC-Q101 标准,并提供 100% 雪崩测试以提高安全性。这款 MOSFET 是先进电路的强大解决方案,将性能与严格的合规标准相结合。
5.3mΩ 的低导通电阻显著提高了能效
支持高达 80A 的连续漏电流,可在严苛应用中实现稳健性能
100% 雪崩测试,确保运行期间的稳定性和可靠性
符合 AEC Q101 标准,适用于汽车应用
接点工作温度范围大,为 -55°C 至 +175°C,可确保在各种条件下性能可靠
接线盒集成了热阻,优化了功率处理能力
无铅,符合 RoHS 标准,符合现代环保标准。
