ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3L08CBLHRBTL, RD3L08CBLHRB系列

N
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制造商零件编号:
RD3L08CBLHRBTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N型

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-252 (TL)

系列

RD3L08CBLHRB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5.3mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

32nC

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

96W

最高工作温度

175°C

高度

2.3mm

长度

10.50mm

宽度

6.8 mm

标准/认证

RoHS, AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为严苛应用而设计,具有出色的效率和可靠性。该设备的最大漏源电压为 60V,连续漏电流为 80A,非常适合汽车和消费类电子产品中的开关和放大任务。它的低导通电阻仅为 5.3mΩ,可最大限度提高功率效率,而其坚固的结构则确保其能够承受恶劣的运行环境,符合 AEC-Q101 标准,并提供 100% 雪崩测试以提高安全性。这款 MOSFET 是先进电路的强大解决方案,将性能与严格的合规标准相结合。

5.3mΩ 的低导通电阻显著提高了能效

支持高达 80A 的连续漏电流,可在严苛应用中实现稳健性能

100% 雪崩测试,确保运行期间的稳定性和可靠性

符合 AEC Q101 标准,适用于汽车应用

接点工作温度范围大,为 -55°C 至 +175°C,可确保在各种条件下性能可靠

接线盒集成了热阻,优化了功率处理能力

无铅,符合 RoHS 标准,符合现代环保标准。