ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, DFN3333T8LSAB, 表面安装, 8引脚, RH7G04BBJFRAT系列
- RS 库存编号:
- 687-447P
- 制造商零件编号:
- RH7G04BBJFRATCB
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB6.87 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-447P
- 制造商零件编号:
- RH7G04BBJFRATCB
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | -40V | |
| 系列 | RH7G04BBJFRAT | |
| 包装类型 | DFN3333T8LSAB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 最大功耗 Pd | 75W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 50nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd -40V | ||
系列 RH7G04BBJFRAT | ||
包装类型 DFN3333T8LSAB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
最大功耗 Pd 75W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 50nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.4 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.1mm | ||
长度 3.4mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为在严苛应用中实现稳健性能而设计,具有卓越的效率和可靠性。该组件的最大漏源电压为 -40V,连续漏电流能力高达 40A,在电源管理方面表现出色。仅 11.9mΩ 的低导通电阻提高了能效,是汽车和工业系统的理想选择。这款 MOSFET 可承受 -55 至 175°C 的温度,确保在各种条件下的耐用性和稳定性,其 AEC-Q101 认证表明它适用于汽车环境,有助于提高设备的安全性和效率。
通过 AEC Q101 认证,可实现可靠的汽车应用
100% 雪崩测试,可在极端条件下提高安全性
接线盒具有低热阻,可促进高效散热
宽工作温度范围可确保在恶劣环境中的性能稳定性
开启状态电阻极小,可优化能效,减少整体功率损耗
电容特性专为快速开关应用而定制,可增强性能
可潮湿的侧面设计有助于实现可靠的焊接并提高装配质量
适用于各种应用,包括 ADAS、照明和主体控制系统