ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, DFN3333T8LSAB, 表面安装, 8引脚, RH7G04CBKFRATCB, RH7G04CBKFRA系列
- RS 库存编号:
- 687-450
- 制造商零件编号:
- RH7G04CBKFRATCB
- 制造商:
- ROHM
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|---|---|---|
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| 20 - 48 | RMB6.52 | RMB13.04 |
| 50 - 198 | RMB5.815 | RMB11.63 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-450
- 制造商零件编号:
- RH7G04CBKFRATCB
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | DFN3333T8LSAB | |
| 系列 | RH7G04CBKFRA | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.0mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 62W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 DFN3333T8LSAB | ||
系列 RH7G04CBKFRA | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.0mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 62W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.4 mm | ||
高度 1.1mm | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为在严苛应用中高效运行而设计。该组件的最大漏源电压为 40V,连续漏电流能力高达 40A,在电源开关和放大任务中表现出色。5.0mΩ 的低导通电阻可确保在运行过程中将功率损耗降至最低,适用于汽车和工业应用。该设备符合 AEC-Q101 标准,通过 100% 雪崩测试提供可靠的性能,可确保在各种运行条件下的安全性和耐用性。
设计效率高,导通电阻低,可减少发热
通过 AEC Q101 认证,确保汽车标准的可靠性
100% 雪崩测试,在瞬态条件下提高安全性
高达 40A 的连续漏电流能力,适用于要求严苛的应用
接点工作温度范围为 -55 至 +175°C,用途广泛
适用于 ADAS、照明和主体电子设备
符合严格的质量控制措施,性能可靠