ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, 80 A, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, AG191FLD3HRBTL, AG191FLD3HRB系列
- RS 库存编号:
- 687-454
- 制造商零件编号:
- AG191FLD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB8.575 | RMB17.15 |
| 20 - 48 | RMB7.57 | RMB15.14 |
| 50 - 198 | RMB6.77 | RMB13.54 |
| 200 - 998 | RMB5.465 | RMB10.93 |
| 1000 + | RMB5.365 | RMB10.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-454
- 制造商零件编号:
- AG191FLD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 系列 | AG191FLD3HRB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.80 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
系列 AG191FLD3HRB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.80 mm | ||
高度 2.3mm | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为高性能应用而设计,具有卓越的效率,最大漏源电压为 60V,连续漏电流为 80A。该设备专为严苛的汽车系统而设计,具有低导通电阻,可确保减少功率损耗并增强热管理。其结构坚固,符合 AEC-Q101 标准,适用于严苛的汽车环境。这款 MOSFET 具有多维热阻能力,可有效应对热应力,确保在不同运行条件下的可靠性。AG191FLD3HRB 以其性能和运行完整性脱颖而出,是在高效应用中寻求可靠组件的工程师的理想之选。
低导通电阻可提高效率并减少发热
无铅电镀符合 RoHS 环境安全标准
100% 雪崩测试确保在压力下性能可靠
通过 AEC Q101 认证,确保符合汽车行业标准
支持宽工作接点和存储温度范围:-55°C 至 175°C
柔性包装规格,采用胶带和卷盘格式,便于组装
集成热阻可最大程度地减少运行期间的热问题
提供精确的栅极电荷特性,可实现卓越的开关性能