ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 80A, TO-252 (TL), 贴片安装, 3引脚, AG191FLD3HRB系列
- RS 库存编号:
- 687-454P
- 制造商零件编号:
- AG191FLD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
N
可享批量折扣
小计 20 件 (按连续条带形式提供)*
¥151.40
(不含税)
¥171.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2025年12月29日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB7.57 |
| 50 - 198 | RMB6.77 |
| 200 - 998 | RMB5.465 |
| 1000 + | RMB5.365 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-454P
- 制造商零件编号:
- AG191FLD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | AG191FLD3HRB | |
| 封装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 AG191FLD3HRB | ||
封装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为高性能应用而设计,具有卓越的效率,最大漏源电压为 60V,连续漏电流为 80A。该设备专为严苛的汽车系统而设计,具有低导通电阻,可确保减少功率损耗并增强热管理。其结构坚固,符合 AEC-Q101 标准,适用于严苛的汽车环境。这款 MOSFET 具有多维热阻能力,可有效应对热应力,确保在不同运行条件下的可靠性。AG191FLD3HRB 以其性能和运行完整性脱颖而出,是在高效应用中寻求可靠组件的工程师的理想之选。
低导通电阻可提高效率并减少发热
无铅电镀符合 RoHS 环境安全标准
100% 雪崩测试确保在压力下性能可靠
通过 AEC Q101 认证,确保符合汽车行业标准
支持宽工作接点和存储温度范围:-55°C 至 175°C
柔性包装规格,采用胶带和卷盘格式,便于组装
集成热阻可最大程度地减少运行期间的热问题
提供精确的栅极电荷特性,可实现卓越的开关性能
无铅电镀符合 RoHS 环境安全标准
100% 雪崩测试确保在压力下性能可靠
通过 AEC Q101 认证,确保符合汽车行业标准
支持宽工作接点和存储温度范围:-55°C 至 175°C
柔性包装规格,采用胶带和卷盘格式,便于组装
集成热阻可最大程度地减少运行期间的热问题
提供精确的栅极电荷特性,可实现卓越的开关性能