ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, 80 A, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, AG086FGD3HRBTL, AG086FGD3HRB系列
- RS 库存编号:
- 687-456
- 制造商零件编号:
- AG086FGD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB8.475 | RMB16.95 |
| 20 - 48 | RMB7.47 | RMB14.94 |
| 50 - 198 | RMB6.72 | RMB13.44 |
| 200 - 998 | RMB5.415 | RMB10.83 |
| 1000 + | RMB5.265 | RMB10.53 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-456
- 制造商零件编号:
- AG086FGD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | AG086FGD3HRB | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.80 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 AG086FGD3HRB | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.80 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为高性能应用而设计,结构坚固,可确保可靠性和效率。该设备的最大漏源电压为 40V,能够处理高达 80A 的连续电流,是汽车系统和其他严苛环境的理想解决方案。它的低导通电阻仅为 4.1mΩ,便于在运行过程中将功率损耗降至最低,特别适用于电源管理任务。这款 MOSFET 完全符合 AEC-Q101 标准,符合严格的汽车标准,可确保严苛应用的质量。该产品支持高效散热,最大功耗为 76W,同时保持宽工作温度范围。
4.1mΩ 的低导通电阻可提高能效
AEC Q101 认证确保汽车级可靠性
最大连续漏电流为 80A,适用于高负载应用
脉冲漏电流能力达到 160A,可处理瞬态负载
支持 ±20V 的栅极源电压,实现灵活控制
雪崩级,可提高运行安全性
热阻规格有助于高效管理热量