ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=800 V, TO-247, 表面安装, 3引脚, R8011KNZ4系列
- RS 库存编号:
- 687-457P
- 制造商零件编号:
- R8011KNZ4C13
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 200 + | RMB21.91 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-457P
- 制造商零件编号:
- R8011KNZ4C13
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | R8011KNZ4 | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.45Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最大功耗 Pd | 139W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 40mm | |
| 宽度 | 16.24 mm | |
| 高度 | 5.22mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 R8011KNZ4 | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.45Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
最大功耗 Pd 139W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 40mm | ||
宽度 16.24 mm | ||
高度 5.22mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为在各种应用中提供卓越的效率和可靠性而设计。该组件的额定电压为 800V,最大连续漏电流为 11A,在严苛环境中表现出色。它专为快速开关而设计,导通电阻低至 0.45Ω,可降低功率损耗并实现高效的热管理。其坚固的结构确保符合 RoHS 等环保标准,是注重可持续性和性能的现代电子设计的实用选择。
低导通电阻可确保高效供电
快速开关功能可优化高速应用的性能
结构坚固,支持并联使用,提高了设计灵活性
符合 RoHS 标准,有助于实现环保设计
-55 至 +150°C 的宽工作温度范围,确保在极端条件下的可靠性
热阻额定值在紧凑型设计中提供出色的热管理
有效的栅极电荷特性便于集成到现有电路中
在工业、汽车和消费类电子产品领域广泛应用