ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3L08DBLHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-458P
- 制造商零件编号:
- RD3L08DBLHRBTL
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB7.47 |
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| 200 - 998 | RMB5.415 |
| 1000 + | RMB5.265 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-458P
- 制造商零件编号:
- RD3L08DBLHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | RD3L08DBLHRB | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 RD3L08DBLHRB | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.8 mm | ||
高度 2.3mm | ||
长度 10.50mm | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为要求高效率和稳健性能的严苛应用而设计。这款 60V、80A N 通道 MOSFET 具有超低导通电阻,可提供卓越的电气性能,同时确保可靠性。它专为在各种环境中实现卓越运行而设计,非常适合汽车应用,包括先进的驾驶辅助系统 (ADAS) 和照明。该组件符合 AEC-Q101 和 100% 雪崩测试,可确保在任何电子设计中实现高标准的安全性和效率。它采用紧凑型封装,可轻松集成到空间有限的布局中。
提供 7.6mΩ 的低导通电阻,可提高功率传输效率
额定最大连续漏电流为 80A,可确保在大负载下的可靠性
具有 60V 的宽漏源电压,适用于各种高压应用
所有产品均符合 RoHS 标准,支持环保设计
100% 通过雪崩测试,可靠性更高,组件使用寿命更长
采用 DPAK TO-252 封装,便于安装在紧凑型电路中
工作温度范围大,为 -55°C 至 175°C,可确保在极端条件下的性能
符合 AEC Q101 标准,适用于汽车和高可靠性应用