ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, AG091FLD3HRBTL, AG091FLD3HRB系列
- RS 库存编号:
- 687-462
- 制造商零件编号:
- AG091FLD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
N
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|---|---|---|
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| 20 - 48 | RMB7.27 | RMB14.54 |
| 50 - 198 | RMB6.57 | RMB13.14 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-462
- 制造商零件编号:
- AG091FLD3HRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 系列 | AG091FLD3HRB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.80 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
系列 AG091FLD3HRB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.80 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道功率 MOSFET 专为汽车应用而设计,具有卓越的效率和可靠性。这款 MOSFET 的最大漏源电压为 60V,连续漏电流容量为 80A,可确保在严苛环境中实现卓越性能。7.5mΩ 的低导通电阻可显著减少功率损耗,适用于各种汽车系统和高电流应用。该设备符合 RoHS 标准,无铅电镀,可确保环境安全性,同时在严格条件下保持稳健性能。
低导通电阻,可提高效率并减少发热
通过 AEC Q101 认证,可确保在汽车应用中实现高可靠性
100% 雪崩测试,安全性和耐用性更高
接点工作温度范围大,为 -55 至 +175°C,用途广泛
76W 的强大功耗容量,可处理大负载
胶带包装便于在制造环境中进行搬运和组装
压花包装规格确保运输过程中的安全动态