ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-40 V, DFN3333T8LSAB, 表面安装, 8引脚, RH7G04CBJFRATCB, RH7G04CBJFRA系列

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687-463
制造商零件编号:
RH7G04CBJFRATCB
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

P型

产品类型

单 MOSFET

最大漏源电压 Vd

-40V

包装类型

DFN3333T8LSAB

系列

RH7G04CBJFRA

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

17.7mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

62W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

33nC

最大栅源电压 Vgs

5 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

3.4mm

高度

1.1mm

宽度

3.4 mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
ROHM 功率 MOSFET 专为在严苛应用中提供卓越性能而设计。该组件专为高效切换而设计,适用于汽车、照明和其他高可靠性系统。RH7G04CBJFRA 具有强大的热特性,包括最大功耗 62W 和令人印象深刻的 ±40A 连续漏电流,可确保在各种条件下可靠运行。此外,这款 MOSFET 集成了雪崩测试和 AEC-Q101 认证等先进功能,可确保在关键环境中的安全性和耐用性。

接通电阻低至 17.7mΩ,效率更高

最大脉冲排放电流为 ±80A,支持高性能应用

采用可润湿的侧面,可提高焊点的可靠性

具有强大的耐热性,可在重负载下保持性能

可在 -55 至 +175°C 的宽温度范围内有效运行

包含 100% 雪崩测试规格,安全性更高

应用于各种应用,包括 ADAS 和汽车照明

随附详细的包装规格,方便用户集成