ROHM N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=40 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3G08DBKHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-464P
- 制造商零件编号:
- RD3G08DBKHRBTL
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB7.22 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-464P
- 制造商零件编号:
- RD3G08DBKHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 系列 | RD3G08DBKHRB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
系列 RD3G08DBKHRB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.8 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM 功率 MOSFET 专为要求卓越效率和高电流容量的高性能应用而设计。这款 MOSFET 设计用于在 40V 电压下工作,最大连续漏电流为 80A,在各种工作条件下都能提供卓越的可靠性和性能。此外,其 4.1mΩ 的低导通电阻可将能量损耗降至最低,确保卓越的热性能和高达 76W 的功耗,是汽车和工业领域严苛应用的理想选择。
低导通电阻,可减少运行期间的能量损耗
80A 的高连续漏电流能力,性能稳健
额定功耗为 76W,可在高功率应用中可靠运行
雪崩额定电流为 30A,可确保在瞬态条件下的耐用性
AEC Q101 认证,确保汽车应用的可靠性
无铅电镀符合 RoHS 标准,符合环保标准
包含压花胶带等包装规格,可实现高效处理
多种额定电压,可满足各种电路设计的需求