ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=60 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3L04BBJHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-468P
- 制造商零件编号:
- RD3L04BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
N
可享批量折扣
小计 20 件 (按连续条带形式提供)*
¥140.40
(不含税)
¥158.60
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年1月12日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 48 | RMB7.02 |
| 50 - 198 | RMB6.315 |
| 200 - 998 | RMB5.115 |
| 1000 + | RMB4.965 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-468P
- 制造商零件编号:
- RD3L04BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | RD3L04BBJHRB | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 30mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 77W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 RD3L04BBJHRB | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 30mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 77W | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.50mm | ||
高度 2.3mm | ||
宽度 6.8 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM P 通道功率 MOSFET 专为汽车和工业应用中的高效开关而设计。该组件能够承受 -60V 的漏源电压和 ±48A 的最大连续漏电流,可确保在严苛条件下性能可靠。它的导通电阻仅 30mΩ,可优化功率损耗,从而提高系统整体效率。该产品还通过了 AEC-Q101 认证和 100% 雪崩测试,是可靠性至关重要的关键应用的理想选择。
低导通电阻可提高能效
AEC Q101 认证可确保在汽车应用中实现高可靠性
100% 雪崩测试可确保在压力下的性能
兼容 -55°C 至 175°C 的宽温度范围,用途广泛
34.9mJ 的雪崩能量能力增强了在动态条件下的坚固性
25°C 时的完整电气特性可在设计中精确应用
压花包装可确保安全高效的存储和处理
针对各种应用进行了优化,包括 ADAS、信息娱乐和照明