ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=-30 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3E07BBJHRBTL, RD3E07BBJHRB系列
- RS 库存编号:
- 687-470
- 制造商零件编号:
- RD3E07BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-470
- 制造商零件编号:
- RD3E07BBJHRBTL
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 系列 | RD3E07BBJHRB | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最大功耗 Pd | 77W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 5 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 标准/认证 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
系列 RD3E07BBJHRB | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最大功耗 Pd 77W | ||
最大栅源电压 Vgs 5 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.50mm | ||
标准/认证 RoHS, AEC-Q101 | ||
宽度 6.8 mm | ||
高度 2.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM P 通道功率 MOSFET 专为在严苛应用中实现高性能而设计。这款 MOSFET 的最大连续漏电流为 ±78A,断流电压为 -30V,非常适合在要求高效率的汽车和工业环境中使用。其紧凑的 DPAK 封装可轻松集成到各种设计中,而 8.5mΩ 的低导通电阻则可显著减少能量损耗。该产品还通过了 AEC-Q101 认证,可确保在恶劣条件下的可靠性,是为电子应用寻求优质耐用组件的设计人员的理想选择。
具有低导通电阻,可提高效率并减少发热
最大功耗为 77W,适用于高功率应用
其设计可承受 -55 至 +175°C 的宽工作温度范围
通过 AEC Q101 认证,可确保汽车应用的高可靠性
提供 100% 雪崩测试,可增强在压力下的耐用性
符合无铅和 RoHS 环保使用标准
采用 DPAK 格式封装,便于安装和集成
支持 ±156A 的脉冲漏电流能力,用于动态负载条件。