ROHM P型, N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, SOP-8, 表面安装, 8引脚, SH8MD5HT系列
- RS 库存编号:
- 687-485P
- 制造商零件编号:
- SH8MD5HTB1
- 制造商:
- ROHM
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 198 | RMB3.56 |
| 200 - 998 | RMB3.21 |
| 1000 - 1998 | RMB2.605 |
| 2000 + | RMB2.505 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-485P
- 制造商零件编号:
- SH8MD5HTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | SOP-8 | |
| 系列 | SH8MD5HT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 167mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.0W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 5.20 mm | |
| 长度 | 6.30mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 SOP-8 | ||
系列 SH8MD5HT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 167mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.0W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 5.20 mm | ||
长度 6.30mm | ||
高度 1.75mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N 通道和 P 通道功率 MOSFET 专为电子应用中的高效电源管理而设计。该设备在提供低导通电阻和大功耗能力方面表现出色,是电机驱动应用的理想选择。它采用 N 通道和 P 通道配置,可在紧凑的 SOP8 封装中进行多功能电路设计。MOSFET 结构坚固,可确保其符合严格的可靠性和合规性要求,包括 RoHS 和无卤认证,这些认证对现代电子元件至关重要。
低导通电阻可提高效率和散热性能
紧凑型 SOP8 封装为 PCB 设计提供节省空间的解决方案
无铅,符合 RoHS 标准,可确保环保制造
无卤素结构提高了安全性和可持续性
适用于 N 通道和 P 通道应用,提供设计灵活性
可靠运行,100% Rg 和 UIS 测试,确保高质量
出色的雪崩额定值,可有效处理瞬态条件。