ROHM P型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=80 V, TO-252 (TL), 表面安装, 3引脚, RD3N045ATTL1, RD3N045AT系列
- RS 库存编号:
- 687-488P
- 制造商零件编号:
- RD3N045ATTL1
- 制造商:
- ROHM
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 198 | RMB3.21 |
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| 2000 + | RMB2.255 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 687-488P
- 制造商零件编号:
- RD3N045ATTL1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-252 (TL) | |
| 系列 | RD3N045AT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 650mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| 最大功耗 Pd | 17W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 长度 | 10.50mm | |
| 宽度 | 6.8 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-252 (TL) | ||
系列 RD3N045AT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 650mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.9nC | ||
最大功耗 Pd 17W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
长度 10.50mm | ||
宽度 6.8 mm | ||
高度 2.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM P 通道 MOSFET 专为各种电源应用而设计。这款 MOSFET 的漏源电压额定值为 -80V,连续漏电流能力为 -4.5A,可为严苛环境提供出色的电气性能。650mΩ 的低导通电阻可最大限度提高效率,同时最大限度减少发热,从而提高整体可靠性。RD3N045AT 符合 RoHS 标准,采用坚固耐用的 TO-252 封装,是电机驱动器和其他开关应用的理想之选,可确保在高功率场景中稳健运行。该设备经过严格的门可靠性测试,其功能还不含卤素,支持环保实践。
650mΩ 的低导通电阻可提高效率并减少功率损耗
提供高功率处理能力,最大功耗为 17W
额定最高接点温度为 150°C,可确保在恶劣条件下的可靠性
脉冲排放电流容量为 ±9A,支持瞬态负载应用
栅极源电压容差为 ±20V,可实现灵活的电路设计
适用于电机驱动应用,可提高电机性能
结构符合 RoHS 标准,可促进环境可持续性
经过 100% Rg 和 UIS 可靠性测试,确保性能稳定持久