Infineon N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=600 V, 60 A, TO-263-7, 表面安装, 7引脚, IPDQ60R070CM8XTMA1, CoolMOS 8系列
- RS 库存编号:
- 690-426
- 制造商零件编号:
- IPDQ60R070CM8XTMA1
- 制造商:
- Infineon
N
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥61.79
(不含税)
¥69.822
(含税)
有库存
- 另外 750 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB30.895 | RMB61.79 |
| 20 - 98 | RMB25.06 | RMB50.12 |
| 100 - 198 | RMB19.175 | RMB38.35 |
| 200 + | RMB18.60 | RMB37.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 690-426
- 制造商零件编号:
- IPDQ60R070CM8XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-263-7 | |
| 系列 | CoolMOS 8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 标准/认证 | ISO 128-30, RoHS | |
| 长度 | 15.10mm | |
| 宽度 | 15.50 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-263-7 | ||
系列 CoolMOS 8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.35mm | ||
标准/认证 ISO 128-30, RoHS | ||
长度 15.10mm | ||
宽度 15.50 mm | ||
汽车标准 否 | ||