Infineon N沟道增强型单 MOSFET, Vds=600 V, Id=60 A, 3针, PG-HSOF-8, OptiMOS 6系列

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RS 库存编号:
690-428
制造商零件编号:
IPT60R070CM8XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

OptiMOS 6

包装类型

PG-HSOF-8

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

70mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS, ISO 128-30

高度

2.4mm

长度

10.1mm

宽度

11.88mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE

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