Infineon N沟道增强型单 MOSFET, Vds=600 V, Id=60 A, 7针, TO-263-7, CoolMOS 8系列

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RS 库存编号:
690-429
制造商零件编号:
IPT60R120CM8XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

单 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-263-7

系列

CoolMOS 8

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

120mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最高工作温度

150°C

高度

2.4mm

宽度

11.88mm

长度

10.1mm

标准/认证

ISO 128-30, RoHS

汽车标准

AEC-Q101

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