Infineon N沟道增强型单 MOSFET, Vds=200 V, Id=75 A, 3针, TO-220, OptiMOS 6系列
- RS 库存编号:
- 690-438
- 制造商零件编号:
- IPP175N20NM6AKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 690-438
- 制造商零件编号:
- IPP175N20NM6AKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | OptiMOS 6 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 宽度 | 10.36mm | |
| 标准/认证 | ISO 128-30, RoHS | |
| 长度 | 29.65mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 OptiMOS 6 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.57mm | ||
宽度 10.36mm | ||
标准/认证 ISO 128-30, RoHS | ||
长度 29.65mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||