Infineon N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=200 V, 75 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB175N20NM6ATMA1, OptiMOS 6系列
- RS 库存编号:
- 690-440
- 制造商零件编号:
- IPB175N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB19.594 | RMB97.97 |
| 50 - 245 | RMB15.864 | RMB79.32 |
| 250 - 495 | RMB12.154 | RMB60.77 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 690-440
- 制造商零件编号:
- IPB175N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | OptiMOS 6 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | ISO 128-30, RoHS | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 宽度 | 10.20 mm | |
| 高度 | 4.50mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 OptiMOS 6 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 ISO 128-30, RoHS | ||
长度 15.9mm | ||
宽度 10.20 mm | ||
高度 4.50mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||