Infineon N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, PG-TSON-8, 表面安装, 8引脚, IGL65R055D2XUMA1, CoolGaN G5系列
- RS 库存编号:
- 690-442
- 制造商零件编号:
- IGL65R055D2XUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 690-442
- 制造商零件编号:
- IGL65R055D2XUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 单 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TSON-8 | |
| 系列 | CoolGaN G5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 55mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | ISO 128-30, RoHS | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 长度 | 15.20mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 单 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TSON-8 | ||
系列 CoolGaN G5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 55mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.7nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 ISO 128-30, RoHS | ||
高度 2.35mm | ||
长度 15.20mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- AT