Infineon N型沟道 增强型 单 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, PG-TSON-8, 表面安装, 8引脚, IGL65R055D2XUMA1, CoolGaN G5系列

N

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RS 库存编号:
690-442
制造商零件编号:
IGL65R055D2XUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

单 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

PG-TSON-8

系列

CoolGaN G5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

55mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.7nC

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

150°C

高度

2.35mm

标准/认证

ISO 128-30, RoHS

长度

15.20mm

宽度

10.1 mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
AT