STMicroelectronics N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=250 V, 56 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP25N018M9, STP25系列
- RS 库存编号:
- 711-524
- 制造商零件编号:
- STP25N018M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB24.27 |
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| 25 - 99 | RMB19.15 |
| 100 - 499 | RMB15.54 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 711-524
- 制造商零件编号:
- STP25N018M9
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 56A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | STP25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 85nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 320W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 56A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 STP25 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 18mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 320W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.6mm | ||
长度 15.75mm | ||
宽度 10.4 mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 沟道功率 MOSFET 基于极具创新性的超结 MDmesh M9 技术，适用于中/高压 MOSFET 每个区域的导通电阻非常低。硅基 M9 工艺受益于多排制造工艺，可实现增强型器件结构。相应 产品在所有硅基快速开关超结功率 MOSFET 中具有较低的导通电阻和栅极电荷，特别适用于需要更高功率密度和效率的应用。
FOM (RDS(on)·Qg) 非常低
dv/dt 性能更高
出色的开关性能
易于驱动
100% 通过雪崩测试