DiodesZetex N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 170 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS123WQ-7-F, BSS123WQ系列

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718-531
制造商零件编号:
BSS123WQ-7-F
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N 沟道

最大连续漏极电流 Id

170mA

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-23

系列

BSS123WQ

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-50°C

最大功耗 Pd

200mW

最高工作温度

150°C

高度

1mm

宽度

2.2 mm

长度

2.2mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex N 沟道增强型 MOSFET 专为高效电源管理应用而设计。这款组件经过精心设计,在确保高速开关性能的同时,具有低导通电阻。得益于AEC-Q101认证和符合IATF 16949等行业标准,它具有稳健的100V额定漏源电压,并适用于多种汽车应用。这款MOSFET采用SOT323封装,体积小巧,并采用无铅环保设计,是需要可靠功能和环保合规性的空间受限环境的理想选择。

低栅极阈值电压可提高电路设计效率

具有低输入电容,可实现更快的开关速度

兼容高额定漏源电压,确保耐用性

设计确保在典型工作条件下具有极低的输入/输出泄漏

符合AEC-Q101标准,适用于汽车应用

具备PPAP能力,适用于需要严格变化控制的行业

由完全符合RoHS指令的无铅材料制成

紧凑型SOT323封装,可轻松集成到设计中