DiodesZetex N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 400 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMN63D8L-7, DMN63D8L系列
- RS 库存编号:
- 718-535
- 制造商零件编号:
- DMN63D8L-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
- 718-535
- 制造商零件编号:
- DMN63D8L-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 400mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | DMN63D8L | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.8Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 最大功耗 Pd | 520mW | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.5 mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 400mA | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 DMN63D8L | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.8Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -50°C | ||
最大功耗 Pd 520mW | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.9nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.5 mm | ||
长度 3mm | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex N 通道增强型 MOSFET 专为高效电源管理应用而设计。这款通用型组件注重最大程度降低导通电阻，同时确保卓越的开关性能。这款MOSFET非常适合电机控制、电源管理功能和背光等应用，为满足严苛的功率需求提供了可靠高效的解决方案。它采用符合AEC-Q101标准的坚固结构，同时被归类为’绿色’设备，彰显了其环保特性。 它采用紧凑的SOT23封装，便于在各种电子设备中实现节省空间的布局。
可实现低导通电阻，确保高效电源管理
具有低输入电容，可实现快速开关速度，从而提升整体性能
最大漏源电压处理能力为30V，适用于多种应用
在25°C时可提供高达350mA的连续漏极电流，支持在严苛场景中可靠运行
栅极设计有防静电功能，以保护设备并提升长效性
符合RoHS标准，不含铅、卤素和锑，支持环保制造