DiodesZetex N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 6.2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMN3023L-7, DMN3023L系列
- RS 库存编号:
- 718-544
- 制造商零件编号:
- DMN3023L-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB1.60 |
| 25 - 99 | RMB1.40 |
| 100 - 499 | RMB1.30 |
| 500 - 999 | RMB1.10 |
| 1000 + | RMB1.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 718-544
- 制造商零件编号:
- DMN3023L-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | DMN3023L | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 68mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.3W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 2.5 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.2A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 DMN3023L | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 68mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -50°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18.4nC | ||
最大功耗 Pd 1.3W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 2.5 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex N 沟道增强型 MOSFET 专为高效电源管理应用而设计。其先进的结构最大限度地降低了导通电阻，使其成为各种以功效为首要考虑的应用的理想选择。该 MOSFET 具有出色的开关性能和极低的栅极阈值电压，可在消费电子设备和工业电子设备中提供可靠的性能。该产品符合 RoHS 标准，并具有 ESD 防护功能，确保在各种工作条件下安全耐用。
在 VGS = 10V 时，导通电阻仅为 25mΩ，从而降低了功率损耗。
低栅极阈值电压增强了与低电压控制信号的兼容性
高开关速度可有效支持高频应用。
防静电栅极可确保设备在动态条件下的可靠性
完全不含铅，完全符合 RoHS 环保安全标准
不含卤素和锑，因此被归类为“环保”设备
符合 AEC-Q101 标准，确保汽车应用的高可靠性