制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=900 V, Id=110 A, 3针, HIP-247-3, Sct系列

RS 库存编号:: 719-464
制造商零件编号:: SCT012W90G3AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=900 V, Id=110 A, 3针, HIP-247-3, Sct系列

此图片代表整个产品系列，仅供参考。

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB165.42

(不含税)

RMB186.92

286 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 - 4	RMB165.42
5 +	RMB160.47

* 参考价格

RS 库存编号:: 719-464
制造商零件编号:: SCT012W90G3AG
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	110A
	最大漏源电压 Vd	900V
	包装类型	HIP-247-3
	系列	Sct
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	12mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	138nC
	最大功耗 Pd	625W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	22V
	正向电压 Vf	2.8V
	最高工作温度	200°C
	长度	15.75mm
	高度	20.15mm
	宽度	5.15mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 110A
	最大漏源电压 Vd 900V
	包装类型 HIP-247-3
	系列 Sct
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 12mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 138nC
	最大功耗 Pd 625W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 22V
	正向电压 Vf 2.8V
	最高工作温度 200°C
	长度 15.75mm
	高度 20.15mm
	宽度 5.15mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SCT012W90G3AG

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 设备采用 ST 的先进创新第 3 代 SiC MOSFET 技术开发。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。

AEC-Q101 认证

整个温度范围内的 RDS(on) 都非常低

高速开关性能

速度极快、坚固耐用的本征体二极管

STMicroelectronics N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=900 V, Id=110 A, 3针, HIP-247-3, Sct系列

批量定价选项

相关链接