STMicroelectronics N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 55 A, HIP-247-3, 通孔安装, 3引脚, SCT018W65G3AG, SCT系列
- RS 库存编号:
- 719-468
- 制造商零件编号:
- SCT018W65G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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- 719-468
- 制造商零件编号:
- SCT018W65G3AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | SCT | |
| 包装类型 | HIP-247-3 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 27mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 76nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 398W | |
| 正向电压 Vf | 2.6V | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 高度 | 20.15mm | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 SCT | ||
包装类型 HIP-247-3 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 27mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 76nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 398W | ||
正向电压 Vf 2.6V | ||
最高工作温度 200°C | ||
高度 20.15mm | ||
宽度 5.15 mm | ||
长度 15.75mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 设备采用 ST 的先进创新第 3 代 SiC MOSFET 技术开发。该设备在整个温度范围内具有非常低的 RDS(接通),结合低电容和非常高的切换操作,可在频率、能效、系统尺寸和重量降低方面提高应用性能。
AEC-Q101 认证
速度极快、坚固耐用的本征体二极管
极低的栅极电荷和输入电容