STMicroelectronics N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 144 A, PowerFLAT, 表面安装, 8引脚, STL140N4LF8, Stl系列
- RS 库存编号:
- 719-478
- 制造商零件编号:
- STL140N4LF8
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 719-478
- 制造商零件编号:
- STL140N4LF8
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 144A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 系列 | Stl | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 94W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 144A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
系列 Stl | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 94W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1mm | ||
长度 6.1mm | ||
STMicroelectronics 40V N 沟道增强型功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅结构。它可确保先进的品质因数，实现极低的通态电阻，同时减少内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
MSL1 等级
工作结温：最高 175℃
100% 通过雪崩测试
低栅极电荷 Qg