DiodesZetex N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.6 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMG3406L-13, DMG3406L系列
- RS 库存编号:
- 719-488
- 制造商零件编号:
- DMG3406L-13
- 制造商:
- DiodesZetex
N
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥4.81
(不含税)
¥5.435
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月13日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | RMB0.962 | RMB4.81 |
| 125 - 495 | RMB0.862 | RMB4.31 |
| 500 - 2495 | RMB0.762 | RMB3.81 |
| 2500 - 4995 | RMB0.662 | RMB3.31 |
| 5000 + | RMB0.602 | RMB3.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-488
- 制造商零件编号:
- DMG3406L-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | DMG3406L | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 70mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 1.4W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 DMG3406L | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 70mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -50°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 1.4W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.2nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
长度 3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex N 通道增强型 MOSFET 专为高效电源管理应用而设计。该元件经过精心设计，可最大限度地降低导通电阻，同时提供卓越的开关性能，是电池充电、DC-DC 转换器和便携式电源适配器的理想选择。其坚固的机械设计，加上无铅且符合 RoHS 标准的结构，凸显了对环境可持续性和在广泛应用领域的可靠性承诺。该 MOSFET 能够处理较大的电流负载，是需要可靠电源管理的现代电子系统的重要组件。
低电阻可提高电源管理效率
高开关速度可提升动态应用中的性能
低输入电容可降低系统功率需求
设计最大漏源电压为 30V，确保其多功能性。
符合 RoHS 标准，支持环保型设备制造
完全无铅施工，符合环保标准
在 25°C 下可实现 3.6A 的高连续排放电流，从而最大限度地提高应用性能。
湿度敏感等级 1 可确保在各种环境下的稳健可靠性