DiodesZetex P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=-100 V, -0.27 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMP10H4D2S-7, DMP10H4D2S系列
- RS 库存编号:
- 719-513
- 制造商零件编号:
- DMP10H4D2S-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-513
- 制造商零件编号:
- DMP10H4D2S-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -0.27A | |
| 最大漏源电压 Vd | -100V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | DMP10H4D2S | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 0.44W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1.15mm | |
| 宽度 | 2.55 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P-通道 | ||
最大连续漏极电流 Id -0.27A | ||
最大漏源电压 Vd -100V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 DMP10H4D2S | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 0.44W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.8nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -50°C | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
高度 1.15mm | ||
宽度 2.55 mm | ||
汽车标准 AEC-Q | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex P通道增强型MOSFET专为高效电源管理应用而设计。它在最小化导通电阻方面表现出色，同时提供卓越的开关性能，适用于包括汽车系统和电池供电设备在内的多种应用。它采用小巧的表面贴装封装并具有稳健特性，支持在各种电子配置中高效运行，即使在恶劣环境中也能确保可靠功能。
低栅极阈值电压，有助于实现高效的电源管理控制
低输入电容可实现更快的开关速度，从而优化性能
静电防护高达2kV，可增强设备在压力条件下的可靠性
无铅并符合RoHS标准，确保环境安全和合规性
符合JEDEC标准，适用于汽车应用，具有高可靠性
湿敏等级1，在处理和组装过程中具有可靠性
在特定栅源电压下具有低导通电阻值，有助于提高能效
适用于符合汽车标准的应用，进一步强化了其通用性