DiodesZetex N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, -2 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMN6140L-13, DMN6140L系列
- RS 库存编号:
- 719-545
- 制造商零件编号:
- DMN6140L-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-545
- 制造商零件编号:
- DMN6140L-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | DMN6140L | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 170mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.3W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 2.5 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -2A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 DMN6140L | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 170mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -50°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.1nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.3W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 2.5 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex N 通道增强型 MOSFET，专为高效电源管理解决方案而设计。它在最大限度地降低导通电阻的同时，还能提供卓越的开关性能，因此适用于包括 DC-DC 转换器和模拟开关在内的各种应用。该半导体设备的设计符合高可靠性标准，并完全符合 RoHS 标准，确保其在现代电子设计中的安全性和环境可持续性。
低导通电阻可提高电路整体效率
高开关速度可提升电源管理应用的性能
支持最大 60V 漏源电压，适用于多种应用场景。
低输入电容可最大限度地降低驱动功率，从而提高系统效率。
紧凑的 SOT23 封装便于集成到紧凑型电子设计中。
不含铅，完全符合环保法规，促进环保制造。
符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车应用中具有高可靠性
湿度敏感等级为 1，确保安全操作和使用寿命。