DiodesZetex N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMG2302UKQ-7, DMG2302UKQ系列

N

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719-562
制造商零件编号:
DMG2302UKQ-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N 沟道

最大连续漏极电流 Id

2.8A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-23

系列

DMG2302UKQ

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

120mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

12 V

最低工作温度

-50°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.8nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

1.1W

最高工作温度

150°C

宽度

2.5 mm

高度

1.1mm

长度

3mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex N 通道增强型 MOSFET,专为满足汽车应用的严格要求而设计。该设备旨在提供卓越的效率,在电源管理和控制功能方面表现出色,使其成为 DC-DC 转换和电机管理等任务的理想选择。该设备结构坚固,符合 AEC-Q101 标准,因其在关键环境中的可靠性和高性能而备受认可。该产品兼具低导通电阻和快速开关能力,确保可在各种条件下高效运行。

低导通电阻特性可提高功效

高开关速度可优化高频应用性能

符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车应用中的可靠性

符合 PPAP 要求,支持高级产品质量计划

防静电栅极设计提高了稳健性和安全性

不含卤素和锑,有助于环保实践

采用低输入电容设计,可提高响应速度

符合 RoHS 标准,确保遵守环境法规