DiodesZetex N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 430 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMN62D0U-7, DMN62D0U系列

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719-571
制造商零件编号:
DMN62D0U-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

430mA

最大漏源电压 Vd

60V

系列

DMN62D0U

包装类型

SOT-23

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

最低工作温度

-50°C

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

0.5nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

590mW

最高工作温度

150°C

长度

3mm

宽度

2.5 mm

高度

1.1mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex N通道增强型MOSFET专为在各种应用中实现高效电源管理而设计。该装置在最大限度降低导通电阻方面表现出色,同时能够确保快速开关性能,适用于电机控制和电源管理功能。它采用专为汽车应用打造的坚固结构并符合AEC-Q100等严格标准,可满足行业对可靠性和安全性的需求。它具有广泛的应用范围和高热稳定性,可确保在严苛环境中可靠运行。

低导通电阻确保高效电能转换

快速切换速度可提升整体电路性能

稳健设计支持汽车应用,符合AEC-Q100标准

提供低输入电容以减少信号延迟

无铅并符合RoHS标准,有助于实现环境可持续性

静电防护能力高达1kV,增强了可靠性

优化的热特性支持高功率耗散

尺寸和重量经过精心设计,可高效利用空间