DiodesZetex P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=-30 V, -3.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMP3099L-13, DMP3099L系列

N

此图片代表整个产品系列,仅供参考。

小计(1 卷,共 10000 件)*

¥4,230.00

(不含税)

¥4,780.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年6月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每卷*
10000 +RMB0.423RMB4,230.00

* 参考价格

RS 库存编号:
719-577
制造商零件编号:
DMP3099L-13
制造商:
DiodesZetex
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

DiodesZetex

槽架类型

P-通道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-3.8A

最大漏源电压 Vd

-30V

包装类型

SOT-23

系列

DMP3099L

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

99mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11nC

正向电压 Vf

-1.26V

最低工作温度

-50°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

1.08W

最高工作温度

150°C

宽度

2.5 mm

长度

3mm

高度

1.15mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex P 通道增强型 MOSFET 专为高效电源管理应用而设计。该设备在保持优异开关性能的同时,最大限度地降低了导通电阻,使其非常适合用于 DC-DC 转换器和背光等电源管理功能。它经过精心设计,可在汽车和通用市场有效运行,体现了“环保”理念,不含铅且符合 RoHS 标准,这增加了它在注重环保的应用领域的吸引力。此外,该设备可适应较宽的温度范围,确保在各种环境条件下可靠运行。

低栅极阈值电压可确保在低功耗应用中的高效运行

-30V 的最大漏源电压可满足多种应用需求。

低至 65mΩ 的静态漏源导通电阻可最大限度地减少运行过程中的能量损耗。

符合欧盟 RoHS 指令,确保环境安全和法规遵从性

采用低输入电容设计,提高开关速度,实现高效性能

总功耗为 1.08W,可在紧凑型设计中实现良好的散热管理。