DiodesZetex N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, DMN3042L-7, DMN3042L系列
- RS 库存编号:
- 719-583
- 制造商零件编号:
- DMN3042L-7
- 制造商:
- DiodesZetex
N
此图片代表整个产品系列,仅供参考。
可享批量折扣
小计(1 包,共 5 件)*
¥5.92
(不含税)
¥6.69
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | RMB1.184 | RMB5.92 |
| 125 - 495 | RMB1.062 | RMB5.31 |
| 500 - 2495 | RMB0.942 | RMB4.71 |
| 2500 + | RMB0.802 | RMB4.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-583
- 制造商零件编号:
- DMN3042L-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | DMN3042L | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 48mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -50°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 1.4W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.5 mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.8A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 DMN3042L | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 48mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -50°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 1.4W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.5 mm | ||
长度 3mm | ||
高度 1.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex N 通道增强型 MOSFET 专为高效电源管理应用而设计。该元件注重在保持优异开关性能的同时最大限度地降低导通电阻,是电池充电、DC-DC 转换器和便携式电源适配器的理想选择。它采用轻量化结构,并具有环保理念,不含铅且符合 RoHS 标准,因此适用于需要严格变更控制的汽车应用。
低导通电阻可提高高电流效率。
采用低栅极阈值电压设计,可实现快速开关
最大限度降低输入电容,以加快响应速度
质量保证,本产品完全不含铅,符合 RoHS 标准。
适用于处理具有特定质量控制的汽车应用
在通过 IATF 16949 认证的工厂生产,确保质量稳定。
低输入/输出泄漏确保在各种条件下都能保持稳定性能
针对电源管理进行了优化,提高了产品整体可靠性。
