制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型功率MOSFET, Vds=30 V, Id=10 A, 8针, SO-8, STS系列

RS 库存编号:: 719-622
制造商零件编号:: STS10N3LH5
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型功率MOSFET, Vds=30 V, Id=10 A, 8针, SO-8, STS系列

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RS 库存编号:: 719-622
制造商零件编号:: STS10N3LH5
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	10A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	STS
	包装类型	SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.021Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	2.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.6nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	22V
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	150°C
	长度	5mm
	高度	1.75mm
	宽度	4mm

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 10A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 STS
	包装类型 SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.021Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 2.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.6nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 22V
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 150°C
	长度 5mm
	高度 1.75mm
	宽度 4mm

Datasheet - STS10N3LH5

STMicroelectronics STripFET™V 功率 MOSFET 技术是最新改进成果之一，经专门定制，可实现非常低的导通电阻，同时提供同类产品中领先的 FOM。

导通电阻 RDS(on) 极低

开关栅极电荷非常低

抗雪崩强度高

栅极驱动功率损耗低

STMicroelectronics N沟道增强型功率MOSFET, Vds=30 V, Id=10 A, 8针, SO-8, STS系列

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