STMicroelectronics N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=30 V, 10 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, STS10N3LH5, STS系列
- RS 库存编号:
- 719-622
- 制造商零件编号:
- STS10N3LH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 719-622
- 制造商零件编号:
- STS10N3LH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | STS | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.021Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 STS | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.021Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.6nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.75mm | ||
长度 5mm | ||
STMicroelectronics STripFET™V 功率 MOSFET 技术是最新改进成果之一，经专门定制，可实现非常低的导通电阻，同时提供同类产品中领先的 FOM。
导通电阻 RDS(on) 极低
开关栅极电荷非常低
抗雪崩强度高
栅极驱动功率损耗低