STMicroelectronics P-通道沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=700 V, 6 A, TO-252, 表面安装, 2引脚, SGT350R70GTK, G-HEMT系列
- RS 库存编号:
- 719-638
- 制造商零件编号:
- SGT350R70GTK
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 719-638
- 制造商零件编号:
- SGT350R70GTK
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | G-HEMT | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 350mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 47W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 长度 | 6.2mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 P-通道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 G-HEMT | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 2 | ||
最大漏源电阻 Rd 350mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 47W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.4mm | ||
长度 6.2mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 700 V 6 A 电子模式 PowerGaN 晶体管采用了非常成熟的包装技术。由此产生的 G-HEMT 设备导电损耗极低、电流容量高、切换操作超快，可实现高功率密度和出色的效率性能。推荐用于零电流开启的消费二维码应用。
增强模式常关型晶体管
开关速度非常高
高功率管理能力
电容极低
开尔文源极焊盘，可实现理想的栅极驱动
零反向恢复电荷
ESD 保护