STMicroelectronics N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=100 V, 60 A, TO-252, 表面安装, 2引脚, STD70N10F4, STP系列
- RS 库存编号:
- 719-650
- 制造商零件编号:
- STD70N10F4
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-650
- 制造商零件编号:
- STD70N10F4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | STP | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0195Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 85nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 长度 | 6.2mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 STP | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 2 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0195Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.4mm | ||
长度 6.2mm | ||
STMicroelectronics STripFET™ DeepGATE™ 功率 MOSFET 技术是最新改进之一，经专门定制，可最大限度降低导通电阻，采用新型栅极结构，可提供卓越的开关性能。
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