STMicroelectronics N沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 397 A, H2PAK-2, 表面安装, 2引脚, STH345N6F7-2, STH系列
- RS 库存编号:
- 719-652
- 制造商零件编号:
- STH345N6F7-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 719-652
- 制造商零件编号:
- STH345N6F7-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 397A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | H2PAK-2 | |
| 系列 | STH | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 341W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 230nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 9.3mm | |
| 高度 | 4.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 397A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 H2PAK-2 | ||
系列 STH | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 2 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 341W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 230nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 9.3mm | ||
高度 4.7mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅结构，可实现非常低的导通电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
市场上最低的 RDS(on)
出色的 FoM（品质因数）
低 Crss/Ciss 比率，可抗电磁干扰
抗雪崩强度高