STMicroelectronics N沟道增强型功率MOSFET, Vds=60 V, Id=397 A, 2针, H2PAK-2, STH系列

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RS 库存编号:
719-652
制造商零件编号:
STH345N6F7-2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

397A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

H2PAK-2

系列

STH

安装类型

表面

引脚数目

2

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

341W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

230nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

宽度

10.4mm

长度

9.3mm

高度

4.7mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅结构，可实现非常低的导通电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。

市场上最低的 RDS(on)

出色的 FoM（品质因数）

低 Crss/Ciss 比率，可抗电磁干扰

抗雪崩强度高

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