STMicroelectronics N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 397 A, H2PAK, 表面安装, 6引脚, STH345N6F7-6, STH系列

N

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RS 库存编号:
719-654
制造商零件编号:
STH345N6F7-6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N 沟道

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

397A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

STH

包装类型

H2PAK

安装类型

表面安装

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

1.2mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

341W

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

230nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

175°C

宽度

10.4 mm

高度

4.7mm

长度

9.3mm

COO (Country of Origin):
CN