Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 60 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiRA10BDP-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-112
- 制造商零件编号:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-112
- 制造商零件编号:
- SiRA10BDP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.005Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 43W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.005Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 43W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.25mm | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 5.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay N 通道 MOSFET 专为高性能电力电子产品中高效可靠的电源开关而设计。经过全面的 Rg 和 UIS 测试，确保在电气应力和苛刻工作条件下的稳健性。它针对低损耗和快速开关进行了优化，支持紧凑型高功率密度设计，同时符合 RoHS 标准和无卤素要求。
提供 100% Rg 和 UIS 测试，确保设备可靠性经过验证
支持高功率密度直流/直流转换器应用
可实现高效的同步整流性能
符合 RoHS 标准和无卤素要求