Vishay P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, -192 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 8引脚, SQJQ143EL-T1_GE3, SQJQ143EL系列

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制造商零件编号:
SQJQ143EL-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

-192A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PowerPAK (8x8L)

系列

SQJQ143EL

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0059Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

283W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

241nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

7.9mm

标准/认证

RoHS

宽度

8mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
Vishay Power MOSFET专为汽车应用而设计,能够在恶劣条件下稳定运行。其结构坚固,可在严苛工况下可靠运行,先进设计则进一步优化了性能。

导通电阻低,可降低功率损耗

热性能经过优化,运行寿命更长