Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 7 A, SOT-23-3, 表面安装, 3引脚, SQ2318CES-T1_BE3, SQ2318CES系列

N
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制造商零件编号:
SQ2318CES-T1_BE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N 沟道

最大连续漏极电流 Id

7A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOT-23-3

系列

SQ2318CES

安装类型

表面安装

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.031Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.4nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

宽度

3.01mm

长度

2.36mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay MOSFET可在高性能应用中实现高效电源管理,能够承受高达40V的漏源电压,并可在175℃的高温环境下可靠工作。

单脉冲雪崩电流额定值为13A

紧凑型SOT-23封装形式,可最大限度节省PCB空间