Vishay P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, -2.2 A, SOT-23-3, 表面安装, 3引脚, SQ2337CES-T1_BE3, SQ2337CES系列
- RS 库存编号:
- 735-120
- 制造商零件编号:
- SQ2337CES-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 735-120
- 制造商零件编号:
- SQ2337CES-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -2.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | SOT-23-3 | |
| 系列 | SQ2337CES | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.29Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P-通道 | ||
最大连续漏极电流 Id -2.2A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 SOT-23-3 | ||
系列 SQ2337CES | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.29Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 6.2mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay Power MOSFET可实现有效电能管理并在严苛环境中发挥稳健性能，在汽车应用中具备高效率和出色的可靠性。
工作温度范围宽（ -55至+175°C），可适应各种环境条件
最大功耗为3W，可满足严苛电气负载需求
在-10V电压下的导通电阻低至0.290Ω，具有卓越的功率承载能力