Vishay P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, -8 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SQ4917CEY-T1_BE3, SQ4917CEY系列
- RS 库存编号:
- 735-121
- 制造商零件编号:
- SQ4917CEY-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1 件）*
¥12.73
(不含税)
¥14.38
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年8月17日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB12.73 |
| 10 - 24 | RMB8.32 |
| 25 - 99 | RMB4.31 |
| 100 - 499 | RMB4.21 |
| 500 + | RMB4.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-121
- 制造商零件编号:
- SQ4917CEY-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SQ4917CEY | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.048Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 6.8W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P-通道 | ||
最大连续漏极电流 Id -8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SQ4917CEY | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.048Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 6.8W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.2mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay Power MOSFET可在汽车应用中提供高性能，稳健的双P沟道配置可承受高达60V的电压，并在175°C高温下稳定运行。
TrenchFET技术确保了低导通电阻
最大连续漏极电流为-8A