Vishay P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, -8 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SQ4917CEY-T1_BE3, SQ4917CEY系列

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RS 库存编号:
735-121
制造商零件编号:
SQ4917CEY-T1_BE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

-8A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SO-8

系列

SQ4917CEY

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.048Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

6.8W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

41nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

宽度

6.2mm

长度

5mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay Power MOSFET可在汽车应用中提供高性能,稳健的双P沟道配置可承受高达60V的电压,并在175°C高温下稳定运行。

TrenchFET技术确保了低导通电阻

最大连续漏极电流为-8A